Samsung создала первую в мире оперативную память на 512 гигабайт

В ходе мероприятия Hot Chips 33 компания Samsung официально презентовала модуль оперативной памяти DDR5-7200 объемом 512 гигабайт. Он предназначен для использования в серверных решениях.

Как пишет Tom's Hardware, модуль базируется на восьми матрицах DDR5, связанных между собой по технологии TSV.

По сравнению с DDR4 новый модуль предлагает вдвое большую емкость и на 40 процентов высокую скорость передачи данных

Новый модуль работает при напряжении 1,1 вольта - это меньше, чем DDR4, то есть обновленная память будет иметь сниженное энергопотребление. Пользовательские модификации DDR5-7200 будут, по всей видимости, иметь объем до 64 гигабайт.

Массовое производство модулей памяти 512 гигабайт начнется к концу 2021 года. Компания полагает, что массовый переход DDR5 произойдет не раньше 2023 или 2024 года.