Корпорация Intel представила создававшуюся 10 лет в сотрудничестве с компанией Micron Technology Inc. энергонезависимую память 3D Xpoint, которая в тысячу раз быстрее, устойчивее по сроку службы, и имеет в десять раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с чипами, выполненными по существующей технологии.
Изобретение назвали "прорывом" в процессе компьютерной памяти с момента появления технологии NAND Flash в 1989 году.
Подробности механизма работы держатся в секрете. Разработчики лишь заявили, что инновационная память основана на перекрестной архитектуре - своего рода трехмерной "шахматной доске", где блоки памяти находятся на пересечении числовых и разрядных линий. Такое построение дает возможность "адресно" обращаться к необходимой ячейке, что обеспечивает более быстрый и эффективный процесс чтения и записи данных.
Для примера, скорость обращения процессора к блокам памяти в жестких дисках и NAND Flash измеряется в микросекундах (одна миллионная доля секунды), …
Свежие комментарии